在芯片制造过程中，芯片的制程（工艺）、核心设备以及封测技术等尤为关键，可决定芯片制造的水平。目前，国内在制程和设备方面，确实还不算先进，不过，在封装测试环节却可以逼近国际领先水平。

近日，长电科技就传来了好消息，已实现了4nm芯片封装工艺。如果，该工艺配合小芯片技术，对中企的芯片产业发展有何帮助？

长电科技实现4nm芯片封装工艺

11月21日，长电科技在网上回答投资者时，表示：其公司已经实现4nm工艺制程的手机芯片封装，在芯片和封装设计方面和客户展开合作，可帮助客户将2.5D和3D等各类先进封装集成到智能手机和平板电脑。

简单点来说，就是长电科技3D封装技术工艺已经达到4nm水平，这预示着，我国的封装测试水平，已经达到国际先进水平。

也许，有人会认为封装技术重要性不如光刻机，但是，3D堆叠封装技术却是后摩尔时代芯片发展的关键之一。随着“摩尔定律”技术路线逐步进入物理极限，制程工艺提升放缓，以3D堆叠封装为代表的先进封装技术将成为未来的重要发展方向。

特别是光刻技术即将进入极限，在1nm以下制程当中，可能会结束使命。那么新的技术研究方向就是重点，特别是先进封装技术，便是超越摩尔技术方向的一种重要实现路径。

所以说，长电科技实现4nm芯片封装工艺，对国内系统集成封装设计的发展来说，无疑是好消息。如果结合上周小芯片标准的发布，芯片封装工艺达到4nm水平，这对中企的芯片产业发展有何帮助？

对中企的芯片产业发展有何帮助？

上周，国内首个原生Chiplet技术标准正式发布，该标准将先进封装技术、电子辅助设计工具和测试技术都设立标准框架，形成多个产业为一体化的领域流程。制定出统一标准后，将为国内芯片企业解决关键技术问题，更利于行业的规范和快速发展。

不可否认，在摩尔定律经济效益放缓后，Chiplet技术是芯片发展的大势所趋，是世界芯片产业的焦点和新的机会。然而，实现Chiplet的前提便是先进封装，也就是说，Chiplet技术的推动需要需要放在先进封装产业中进行。

实际上，在后摩尔时代下，需要Chiplet和先进封装协同创新。在设计维度看好Chiplet技术，在制造维度看好先进3D封装技术，以实现花同样的钱得到更多的晶体管密度和性能。

所以，长电科技实现4nm芯片封装工艺，与上周发布的国内Chiplet技术标准是相辅相成的，对中企发展芯片产业具有实际意义。

首先，可以助力国内小芯片产业的发展

通过以上简单介绍，我们知道，小芯片技术需要先进封装技术推动。因为，小芯片技术设计的芯片，采用的是不同的架构，将这些不同架构的芯片组合成“大芯片”，主要依赖的是芯片制造的后道工艺。

而且，在布线密度和信号传输质量上，单个硅片上远高于Chiplet之间，想要实现Chiplet的信号传输，必须要求发展出高密度、大带宽布线的“先进封装技术”。简单点说，就是封装技术工艺越先进，对小芯片技术水平的发展越有利。

因此，长电科技实现4nm芯片封装工艺，可以进一步促进小芯片技术的发展。而小芯片技术的不断发展，未来能够应用在云端运算、大数据分析、人工智能、自动驾驶等领域，这极大地促进了中企小芯片产业的发展。

其次，有利于绕过相关技术封锁

众所周知，华为麒麟芯片无法找国内晶圆厂代工，主要原因就是受限于光刻机技术。因为没有先进光刻机，国内晶圆厂的芯片工艺水平，达不到麒麟芯片代工的要求。然而，ASML又要禁售DUV，这对于中企芯片发展来说，也是不利的。

不过，在3D封装技术方面突破4nm工艺水平，可为绕过先进光刻机技术，探索出一种不同的解决方案。利用先进的3D封装技术，导入Chiplet设计，用堆叠、面积换性能的方式，可解决高性能芯片的问题。

比如，AMD今年3月推出了基于台积电3DChiplet封装技术的第三代服务器处理芯片；苹果也推出了采用台积电CoWos-S桥接工艺的M1Ultra芯片。

如今，想要突破光刻机技术封锁，那么先进的3D封装技术、小芯片技术，就是一个不错的选择方向。

结束语

在小芯片标准发布后，国内科企又突破4nm芯片封装工艺，这对整个产业的发展都有利。从小芯片设计到制造，既有了标准又有了先进技术，更从一定程度上降低对美系技术的依赖，让未来我们的芯片产业会越来越好。

对此，你有什么看法呢？